碳化硅功率模块焊接工艺研究进展

• 作者: 崔素杭 李帅 李晓波 王静辉 白欣娇 袁凤坡
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅(SiC) 功率模块 焊接材料 纳米银烧结 纳米铜焊膏 高温封装
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 163-168
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.94
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2020.02.012

摘要

碳化硅(SiC)模块的封装技术是目前电力电子行业关注的热点,焊接材料和工艺是影响模块可靠性的关键环节.详细分析了当前国内外业界已使用或正在研究的焊接材料和工艺,包括应用于传统硅(Si)功率模块和SiC功率模块的常规无铅钎料、低温纳米银烧结、固液互扩散连接和纳米铜焊膏等.分析了各种工艺的焊接过程、焊层性能及存在的问题,明确了今后SiC功率模块高温封装焊接技术的发展方向,即低温纳米银烧结技术和固液互扩散技术将会是SiC功率模块焊接工艺的优选.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晓波		4	8	2.0	2.0
2	李帅	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	34	4.0	5.0
4	白欣娇	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	1	1.0	1.0
6	袁凤坡	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	16	2.0	3.0
14	崔素杭		1	0	0.0	0.0