宽禁带半导体产业大尺寸第三代半导体氮化镓衬底产业化项目

• 来源期刊: 中国粉体工业
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子器件 宽禁带半导体 光电子器件 氮化镓 缺陷密度 工艺成熟 低成本优势 技术团队
• 年，卷（期）: zgftgy_2020,（1）
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: TN3

摘要

一、项目单位简介实现第三代半导体高性能器件产业化和规模化应用的关键是要获得价格合理的低缺陷密度GaN晶体基片。本项目技术团队所拥有的高技术和低成本优势在国内外是独一无二的,技术领先、工艺成熟,已经具备大规模量产的条件。本项目长远目标是建成世界最大规模的氮化镓衬底生产基地,提供GaN衬底以及集成GaN基光电子器件和微电子器件的晶片等。