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摘要:
在传统AlGaN/GaN肖特基二极管中,阳极漏电始终是制约器件耐压提高的一个重要因素.因此文中研究了在缓冲层中生长P型埋层并与阳极相连的AlGaN/GaN肖特基二极管结构AC-PBL FPs SBD来抑制阳极的泄漏电流.同时,在二极管的两级均加上场板来调制该器件的表面电场分布.经过仿真验证可知,该结构的阳极关断泄漏电流得到了有效抑制,同时辅助耗尽沟道内的2DEG,扩大空间电荷区,进而提高了器件的耐压特性.该结构的击穿电压为733 V,与传统GET SBD器件相比,击穿电压提高了近3.4倍,Baliga优值提升了近11.6倍,说明该器件可以应用在电力电子线路中.
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1000 V p-GaN混合阳极AlGaN/GaN二极管
AlGaN/GaN
二极管
p-GaN
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种阳极连接P型埋层的AlGaN/GaN肖特基二极管
来源期刊 电子科技 学科 工学
关键词 AlGaN/GaN 埋层 击穿电压 优值 场板 导通电阻
年,卷(期) 2020,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 51-56
页数 6页 分类号 TN312+.3
字数 5054字 语种 中文
DOI 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2020.01.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王颖 杭州电子科技大学电子信息学院 33 165 6.0 12.0
2 唐健翔 杭州电子科技大学电子信息学院 2 1 1.0 1.0
3 孙友磊 杭州电子科技大学电子信息学院 2 1 1.0 1.0
4 黄意飞 杭州电子科技大学电子信息学院 1 0 0.0 0.0
5 王文举 杭州电子科技大学电子信息学院 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
AlGaN/GaN
埋层
击穿电压
优值
场板
导通电阻
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技
月刊
1007-7820
61-1291/TN
大16开
西安电子科技大学
1987
chi
出版文献量(篇)
9344
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总被引数(次)
31437
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