一种阳极连接P型埋层的AlGaN/GaN肖特基二极管

• 作者: 唐健翔 孙友磊 王文举 王颖 黄意飞
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 埋层 击穿电压 优值 场板 导通电阻
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 页码范围: 51-56
• 页数: 6页
• 分类号: TN312+.3
• 字数: 5054字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2020.01.010

摘要

在传统AlGaN/GaN肖特基二极管中,阳极漏电始终是制约器件耐压提高的一个重要因素.因此文中研究了在缓冲层中生长P型埋层并与阳极相连的AlGaN/GaN肖特基二极管结构AC-PBL FPs SBD来抑制阳极的泄漏电流.同时,在二极管的两级均加上场板来调制该器件的表面电场分布.经过仿真验证可知,该结构的阳极关断泄漏电流得到了有效抑制,同时辅助耗尽沟道内的2DEG,扩大空间电荷区,进而提高了器件的耐压特性.该结构的击穿电压为733 V,与传统GET SBD器件相比,击穿电压提高了近3.4倍,Baliga优值提升了近11.6倍,说明该器件可以应用在电力电子线路中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王颖	杭州电子科技大学电子信息学院	33	165	6.0	12.0
2	唐健翔	杭州电子科技大学电子信息学院	2	1	1.0	1.0
3	孙友磊	杭州电子科技大学电子信息学院	2	1	1.0	1.0
4	黄意飞	杭州电子科技大学电子信息学院	1	0	0.0	0.0
5	王文举	杭州电子科技大学电子信息学院	1	0	0.0	0.0