抗辐射低噪声CMOS图像传感器设计技术研究

• 作者: 吴龙胜 郭仲杰
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS图像传感器 噪声优化 电离总剂量 单粒子闩锁 读出电路
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 传感器研究
• 页码范围: 221-226
• 页数: 6页
• 分类号: TN43
• 字数: 3720字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2020.02.010

摘要

为满足航天应用对大面阵高动态CMOS图像传感器的需求,对噪声优化与辐射加固等关键技术进行了深入研究.基于系统架构的增益级与双相关双采样设计优化、基于采样电路的时序改进,实现了对系统噪声的多层次优化;基于像素级与电路级的总剂量辐射加固与单粒子闩锁辐射加固设计,实现了对100k rad(Si)总剂量和99.8 MeV·cm2/mg单粒子效应的免疫.研究成果已成功应用于一款64M像素超大面阵高性能CMOS图像传感器产品.流片测试结果显示,抗总剂量辐射能力优于100k rad(Si)、暗电流与噪声随辐射增长率提升了一个数量级;抗单粒子闩锁能力优于99.8 MeV·cm2/mg;在整个辐射环境下读出噪声不超过5e-;本征动态范围高达75dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴龙胜		50	120	6.0	8.0
2	郭仲杰	西安理工大学自动化与信息工程学院	4	1	1.0	1.0