一种宽电压范围电流基准的设计

• 作者: 吴龙盛 时光 李倩敏 李婷 雷婉
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 电流基准 PTAT CTAT 低功耗 宽电压范围
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 页码范围: 49-54
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

本文针对电流基准功耗大、电源电压范围窄的问题,设计了一款同时具备低功耗、宽电压范围、低温度系数的CMOS基准电流源.基准电流由PTAT电流和CTAT电流按一定比例系数相加产生,表现出与温度无关的特性.使用基于CMOS亚阈值特性的运放和自级联电流镜,扩大了电源电压范围,降低了电路整体功耗,提升了电路性能.电路基于XFAB 0.35μm CMOS工艺进行设计,结果表明,基准电流为5μA,在-25℃～125℃温度范围内,温漂系数为40 ppm/℃,电源电压为2.5V～6V,功耗为25 μA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李婷		3	1	1.0	1.0
2	雷婉		1	0	0.0	0.0
3	吴龙盛		1	0	0.0	0.0
4	时光		1	0	0.0	0.0
5	李倩敏		1	0	0.0	0.0