基于CMOS工艺的太赫兹振荡器

• 作者: 徐雷钧 汪柏康 白雪
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: Push-Push振荡器 CMOS工艺 太赫兹源 高输出功率
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 太赫兹科学技术
• 页码范围: 364-368
• 页数: 5页
• 分类号: TN216
• 字数: 2635字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA2019204

摘要

在太赫兹频段,无源器件电容电感的品质因数低、电路的寄生参数以及MOS管的截止频率影响使太赫兹振荡器电路难以实现高功率输出.提出一种300 GHz可调谐振荡器,首先,采用改进的交叉耦合双推(Push-Push)振荡器结构,通过输出功率叠加的方法输出二次谐波300 GHz信号,增加了振荡器的输出功率并突破了MOS管截止频率,并通过增加栅极互连电感增加输出功率.其次,太赫兹振荡器摒弃传统片上可变电容调谐的方式,通过调节MOS管衬底电压改变MOS管的栅极寄生电容实现频率调谐,避免太赫兹频段引入低Q值电容,进一步增加了输出功率.提出的太赫兹振荡器采用台积电40 nm CMOS工艺,基波工作频率为154.5 GHz,输出二次谐波为309.0 GHz,输出功率可达-3.0 dBm,相位噪声为-79.5 dBc/Hz@1 MHz,功耗为28.6 mW,频率调谐范围为303.5～315.4 GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白雪	江苏大学电气信息工程学院	32	203	7.0	13.0
2	徐雷钧	江苏大学电气信息工程学院	33	121	7.0	10.0
3	汪柏康	江苏大学电气信息工程学院	1	0	0.0	0.0