掺杂金属氧化物半导体气敏传感器性能的研究进展

• 作者: 曹冠龙 李铁 潘国峰 杨学莉 王如 崔军蕊 回广泽
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物 半导体 掺杂 气敏传感器 灵敏度
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 15-22,27
• 页数: 9页
• 分类号: TN305.3|TM23
• 语种: 中文

摘要

金属氧化物半导体气敏传感器因其灵敏度高、制造成本低、测量方式简单易行等特点受到了广泛关注,在有毒有害气体实时监测方面极具应用潜力.在制备过程中,掺杂作为常用的改性工艺之一,得到了国内外学者的广泛关注.文中将从掺杂的角度综述制备金属氧化物半导体气敏传感器的研究进展,其中包括一元纯金属氧化物、纯金属掺杂、稀土元素掺杂、复合金属氧化物、金属氧化物掺杂等.并对现阶段存在的问题及发展趋势进行了概述.