集成电路技术发展对电磁兼容的影响

• 作者: 艾·西加 亚历山大·博耶 吴建飞 郑亦菲
• 来源期刊: 安全与电磁兼容
• 关键词: 集成电路 电磁兼容 封装工艺 发展趋势
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 新视角
• 页码范围: 9-17
• 页数: 9页
• 语种: 中文

摘要

介绍了集成电路制造业发展的主要趋势,包括复杂度、工作频率、器件性能、供电电压以及器件之间数据交换等.总结了微米级到纳米级CMOS工艺集成电路性能对应的工艺发展节点,讨论了技术演变对集成电路电磁兼容(EMC)的影响,并基于最近几年发表的一系列学术论文综述了集成电路电磁兼容的研究现状.