基于掺杂压电薄膜的FBAR制备及研究

• 作者: 何西良 兰伟豪 刘娅 卢丹丹 司美菊 张永川 徐阳 蒋平英
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 压电薄膜 AlScN薄膜 磁控溅射 机电耦合系数 薄膜体声波谐振器
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 声光电磁晶体材料专栏
• 页码范围: 1040-1043
• 页数: 4页
• 分类号: TN65
• 字数: 1876字
• 语种: 中文

摘要

薄膜体声波谐振器(FBAR)具有体积小、工作频段高、性能强等优势,在滤波器领域有广泛的应用前景,其最核心的功能层为压电薄膜.本文采用磁控溅射方法,在6英寸硅片上制备了AlScN压电薄膜.对AlScN薄膜进行了分析表征,结果表明,AlScN压电薄膜具有良好的(002)面择优取向,摇摆曲线半峰宽为1.75°,膜厚均匀性优于0.6％,薄膜应力为10.63 MPa,薄膜应力可调.制作了基于AlScN压电薄膜的FBAR谐振器,其机电耦合系数为7.53％.在AlN中掺杂Sc能够有效提高压电薄膜的机电耦合系数,对研究FBAR滤波器的宽带化有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋平英	中国电子科技集团公司第二十六研究所	5	5	1.0	2.0
2	张永川	中国电子科技集团公司第二十六研究所	9	15	3.0	3.0
3	徐阳	中国电子科技集团公司第二十六研究所	21	32	3.0	4.0
4	卢丹丹	中国电子科技集团公司第二十六研究所	5	1	1.0	1.0
5	刘娅	中国电子科技集团公司第二十六研究所	4	4	1.0	2.0
6	司美菊	中国电子科技集团公司第二十六研究所	7	12	3.0	3.0
7	兰伟豪	中国电子科技集团公司第二十六研究所	1	0	0.0	0.0