行星式MOCVD反应器进口结构对AlN生长的气相反应和生长速率的影响

• 作者: 左然 茅艳琳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD AlN 行星式反应器 气相反应 数值模拟
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1168-1175
• 页数: 8页
• 分类号: O782|TQ133.1
• 字数: 4648字
• 语种: 中文

摘要

针对行星式MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)反应器进口结构对AlN生长的化学反应路径和生长速率的影响进行数值模拟研究,通过改变反应器进口形式、数量以及隔板位置发现,二重进口反应器倒置进口(即Ⅲ族在下,Ⅴ族在上)时,衬底前端的含Al粒子浓度明显升高,尤其是MMAl的浓度比传统进口反应器高两个数量级,气相反应中热解路径占主导,薄膜生长速率明显提高.在倒置进口的基础上优化隔板位置,生长速率略微降低,但薄膜均匀性明显改善.当反应器进口数量从二重变为三重和五重,反应从热解路径占主导变为热解路径和加合路径共同作用,薄膜生长速率逐渐增加,而均匀性明显改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左然	江苏大学能源与动力工程学院	69	606	14.0	22.0
2	茅艳琳	江苏大学能源与动力工程学院	1	0	0.0	0.0