单晶铜键合丝退火过程中氧化机理研究

• 作者: 秦茶 桑德利 梁博 段康
• 来源期刊: 河北冶金
• 关键词: 单晶铜 键合丝 退火 氧化增重率 Cu2O CuO
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 专题研究|Special Research
• 页码范围: 14-19,34
• 页数: 7页
• 分类号: TG166.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13630/j.cnki.13-1172.2020.1203

摘要

单晶铜以其优异的电热学特性和机械特性而成为键合丝的首选线材.退火处理是键合丝生产的关键工艺,本文对单晶铜在退火过程中的氧化特性进行了研究,探求了不同退火温度下单晶铜氧化增重率随退火时间的函数关系,并利用金相显微镜及SEM观察了单晶铜的组织变化,结合氧化过程氧化物形貌和成分进行了氧化机理研究.结果表明,退火温度越高,氧化速率越快;氧化初期,氧化增重率变化不明显,随氧化时间延长,氧化增重率与之呈线性关系.单晶铜的氧化膜成分为Cu2 O和CuO,氧化过程以化学反应为主,同时伴随着物理运动,二者相互作用促进了单晶铜的氧化.