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可扩展的多存储器双通道读写电路设计
可扩展的多存储器双通道读写电路设计
作者:
姚建宁
徐兵
王建
赵利娟
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
多路复用
阻抗设计
GL850G
GL823K
TS3 A27518E
摘要:
半导体快闪记忆器因读写高速和操作便携广泛应用于工商业领域各类电子设备中,在航空遥感测绘的多光学传感器数据存储方面,传统单通道存储电路对多存储器数据的快速转存读取带来极大不便.本文基于USB Hub控制芯片、读卡控制芯片和多路复用器芯片设计了一种可扩展的SDIO接口的多存储器双通道读写电路.实验证明,该电路有效提升了分布式传感器数据集中读取的便携性,具有重要的工程应用价值.
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篇名
可扩展的多存储器双通道读写电路设计
来源期刊
单片机与嵌入式系统应用
学科
工学
关键词
多路复用
阻抗设计
GL850G
GL823K
TS3 A27518E
年,卷(期)
2020,(9)
所属期刊栏目
新器件新技术
研究方向
页码范围
63-66
页数
4页
分类号
TP301.6|V248.1
字数
2127字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
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G指数
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王建
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
单片机与嵌入式系统应用
主办单位:
北京航空航天大学
出版周期:
月刊
ISSN:
1009-623X
CN:
11-4530/V
开本:
大16开
出版地:
北京海淀区学院路37号《单片机与嵌入式系统应用》杂志社
邮发代号:
2-765
创刊时间:
2001
语种:
chi
出版文献量(篇)
7244
总下载数(次)
21
总被引数(次)
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