开发新型相变存储材料与技术推出新一代嵌入式相变存储芯片

• 作者: 宋志棠
• 来源期刊: 科技成果管理与研究
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 页码范围: 封2,前插1
• 页数: 2页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3772/j.issn.1673-6516.2020.08.001

摘要

存储器是集成电路最重要的技术之一,是国家核心竞争力的重要体现.相变存储器(PCRAM)基于相变材料在非晶态和晶态之间的快速可逆转变实现信息存储,具有非易失性、高速、低功耗、长寿命、可三维集成以及与新型互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容等优点.