MPCVD单晶金刚石生长及其电子器件研究进展

• 作者: 王宏兴 王艳丰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚石 MPCVD 横向外延 拼接生长 掺杂 二极管 场效应晶体管 探测器
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 2139-2152
• 页数: 14页
• 分类号: O78|TN303
• 语种: 中文

摘要

本综述分析了微波等离子化学气相沉积(MPCVD)单晶金刚石生长及其电子器件近年来的研究进展,并对其进行展望.详细介绍了金刚石宽禁带半导体特性、生长原理、生长设备、衬底处理.研究了影响MPCVD单晶金刚石生长的关键因素,为获得最优生长条件提供指导.分析了横向外延、拼接生长、三维生长等关键性生长技术,逐步提高单晶金刚石的质量和面积.在金刚石掺杂的研究中,详细介绍了n型和p型掺杂的研究进展.通过对金刚石肖特基二极管、氢终端金刚石场效应晶体管、紫外探测器的研究,展现了金刚石在电子器件领域的成果和进展.最后总结了MPCVD单晶金刚石生长及其电子应用过程中面临的挑战,展望了金刚石在电子器件领域的巨大应用前景.