一种SiC MOSFET快速短路保护电路研究

• 作者: 倪喜军 卢乙 李先允 王书征
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 过流检测 短路保护
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 宽禁带电力电子器件的应用基础专辑
• 页码范围: 57-59
• 页数: 3页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有工作频率高、耐温高、临界击穿场强高和寄生参数小等特点,广泛应用于高功率密度和高开关频率场合.首先总结分析了各种短路过流检测方法,然后基于分流器检测法设计了一款SiC MOSFET短路保护电路,最后简要分析其工作原理,并进行实验验证.实验结果表明,所设计的SiC MOSFET短路保护电路,能在发生短路的1μs内完成保护动作,确保器件的安全运行.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李先允		62	548	11.0	21.0
2	王书征		17	44	3.0	6.0
3	倪喜军		11	5	1.0	2.0
4	卢乙		2	0	0.0	0.0