SiC MOSFET驱动参数的协同控制研究

• 作者: 丛培城 刘博 康成伟 张国芹
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体管 驱动参数 协同控制
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 宽禁带电力电子器件的应用基础专辑
• 页码范围: 77-79
• 页数: 3页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

碳化硅(SiC)器件的高开关速度使得其瞬态过程的非理想特性显著增加,对杂散参数也更为敏感,容易激发高频振荡和超调.为充分发挥其高速开关过程中的低损耗性能优势,在此采取理论定性与实验定量相结合的方式,揭示了驱动参数对SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关特性的调控规律.通过搭建双脉冲实验平台,在验证模型分析准确性的基础上,着重研究驱动参数的匹配关系,在获得同样振荡和超调抑制效果时,实现更低的开关损耗.