InSeI单晶的制备及其结构与性能研究

• 作者: 何代华 周玄 程国峰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InSeI 金属基硫卤化合物 化学气相传输法 光致发光 禁带宽度 介电性能
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2252-2255
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 语种: 中文

摘要

利用化学气相传输法(CVT)制备了InSeI单晶.该晶体为黄色的针状物,晶体较脆.在室温下进行X射线衍射分析发现,其属于四方晶系,晶胞参数为a=b=1.8643(5)nm,c=1.0120(3)nm,V=3.5172 nm3,空间群为I41/a.紫外可见光吸收光谱、光致发光光谱等结果显示该晶体的禁带宽度是2.48 eV,在一定波段光的激发下,InSeI单晶在600 nm左右有较宽的发射峰,表明该晶体的发光方式为缺陷态发光.介电温谱表明InSeI单晶在440 K时其四方相的结构发生了相变.