具有隐埋型场阻止(FS)层IGBT的特性研究

• 作者: 刘聪 王彩琳
• 来源期刊: 磁性元件与电源
• 学科: 工学
• 关键词: 电力半导体器件 场阻止层 阻断电压 隐埋型
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 页码范围: 155-158
• 页数: 4页
• 分类号: TN3

摘要

本文采用Sentaurus-TCAD软件研究了一种具有隐埋型场阻止(FS)层IGBT的静、动态特性,并与常规型FS-IGBT进行了对比。分析了不同FS峰值掺杂浓度及深度对正、反向阻断特性及导通特性及开关特性的影响。研究结果表明,采用隐埋型FS层,可以大幅度改善IGBT的反向阻断特性,同时正向阻断、导通及开关特性也有所改善,并且高温漏电流更小,高温稳定性能更好。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王彩琳	西安理工大学电子工程系	43	203	8.0	12.0
2	刘聪	西安理工大学电子工程系	1	0	0.0	0.0