离子注入常见问题分析与研究

• 作者: 刘锡锋 田青 黄玮
• 来源期刊: 湖北农机化
• 关键词: 离子注入 集成电路 掺杂 问题分析
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 使用维护
• 页码范围: 91
• 页数: 1页
• 字数: 1030字
• 语种: 中文

摘要

离子注入是利用离子注入机将掺杂所需要的原子电离以后用加速的方式掺杂进入硅半导体晶体,从而使得它的导电性质发生变化,并最终形成所需要的器件.现代晶圆的制备中,离子注入主要用在半导体性质变化掺杂上.它能够依据所需要的浓度控制杂质,包括控制掺杂深度,目前该技术已成为硅片制作要求的标准工艺,但该工艺过程也存在许多问题和不足.本文对半导体集成电路工艺中的离子注入工艺的主要特点、工艺中存在的几个问题等方面进行了分析研究,并提出相关问题的解决方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘锡锋		23	20	2.0	4.0
2	黄玮		18	4	1.0	1.0
3	田青		1	0	0.0	0.0