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摘要:
提出了一种全芯片光源掩模联合优化的关键图形筛选方法,用图形的主要频率表征图形的特征,用主要频率的位置和轮廓信息描述主要频率在频域上的分布特征.设计了相应的主要频率提取方法、覆盖规则、聚类方法以及关键图形筛选方法,实现了全芯片光源掩模联合优化的关键图形筛选.采用荷兰ASML公司的商用计算光刻软件Tachyon进行了仿真验证,与ASML公司同类技术的对比结果表明,本方法获得的工艺窗口优于ASML Tachyon方法.
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文献信息
篇名 基于衍射谱分析的全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选
来源期刊 光学学报 学科
关键词 光学设计 光刻 分辨率增强技术 光源掩模联合优化 图形筛选
年,卷(期) 2020,(21) 所属期刊栏目 光学设计与制造|Optical Design and Fabrication
研究方向 页码范围 126-136
页数 11页 分类号 TN305.7
字数 语种 中文
DOI 10.3788/AOS202040.2122001
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研究主题发展历程
节点文献
光学设计
光刻
分辨率增强技术
光源掩模联合优化
图形筛选
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光学学报
半月刊
0253-2239
31-1252/O4
大16开
上海市嘉定区清河路390号(上海800-211信箱)
4-293
1981
chi
出版文献量(篇)
11761
总下载数(次)
35
相关基金
上海市自然科学基金
英文译名:
官方网址:http://www.lawyee.net/Act/Act_Display.asp?RID=46696
项目类型:面上项目
学科类型:
论文1v1指导