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摘要:
采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了单一钙钛矿结构的CaZrO3薄膜.研究了CaZrO3薄膜的介电性能和微观形貌,利用X射线衍射技术和扫描电子显微镜技术对所制备薄膜的微观结构进行了表征,并对所制备薄膜的介电性能进行了系统测试,侧重讨论了制备工艺参数O2∶Ar比对所制备薄膜的物相及电学性能的影响.研究结果表明,O2∶Ar比对所制备薄膜的相纯度有显著影响,在O2∶Ar比为10∶40和20∶40时获得单一钙钛矿相的CaZrO3薄膜,O2∶Ar比为30∶40和40∶40时,薄膜中可观察到第二相Ca0.2Zr0.8O1.8(CSZ)杂相.O2∶Ar比为10∶40条件下所制备的单一钙钛矿相CaZrO3薄膜在1MHz介电常数约为30,介电损耗为0.006,并且该薄膜在40V直流电压下,漏电流密度为5×10-7 A/cm2.单一钙钛矿相的CaZrO3薄膜在薄膜型电容器和微波器件方面具有潜在应用.
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关键词云
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文献信息
篇名 CaZrO3薄膜的微观结构与介电性能研究
来源期刊 广东化工 学科 工学
关键词 CaZrO3薄膜 射频磁控溅射 O2∶Ar流量比 介电性能 漏电流密度
年,卷(期) 2020,(7) 所属期刊栏目 试验与研究
研究方向 页码范围 4-6
页数 3页 分类号 TQ
字数 2742字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 余萍 四川大学材料科学与工程学院 82 1291 16.0 34.0
2 谢斌 四川大学材料科学与工程学院 2 6 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
CaZrO3薄膜
射频磁控溅射
O2∶Ar流量比
介电性能
漏电流密度
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
广东化工
半月刊
1007-1865
44-1238/TQ
大16开
广东省广州市越秀区越华路116号
46-211
1974
chi
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74062
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