重离子辐照下SDRAM存储器"固定位"错误研究

• 作者: 唐越 殷中云 邓玉良 李孝远 杨彬 方晓伟
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 重离子辐照试验 固定位错误 SDRAM存储器 微剂量 加热退火
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: TN406|TP333.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2021.01.002

摘要

对65 nm SDRAM存储器进行重离子试验,分析其出现"固定位"错误的地址分布规律性,并研究错误数量与辐射能量以及注量之间的关系.对辐照后样品采用不同温度和时长退火,分析不同参数设定对"固定位"错误恢复的影响.根据试验现象,围绕微剂量效应,分析"固定位"错误的产生机理.提出一种方法,通过三维堆叠的方式在SDRAM存储芯片下叠封一个加热芯片,利用加热退火使"固定位"错误消失,可有效解决SDRAM存储器在宇航环境下出现"固定位"错误却无法维修器件的问题.