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单晶铌酸锂薄膜光波导的制备研究
单晶铌酸锂薄膜光波导的制备研究
作者:
高琴
乔石珺
帅垚
杨小妮
罗文博
吴传贵
张万里
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
铌酸锂
氩离子刻蚀
反应离子刻蚀
光波导
摘要:
为了优化单晶铌酸锂薄膜光波导的性能,研究了基于单晶铌酸锂薄膜材料的光波导刻蚀工艺.虽然Ar+物理刻蚀能够达到最高95 nm/min的刻蚀速率,但难以获得光滑的波导侧壁,且以Cr作为掩膜的刻蚀选择比为1∶1,这意味着较差的选择性使其难以实现铌酸锂的深刻蚀.而采用反应离子刻蚀(RIE)得到的刻蚀速率较低,但是以Cr作为掩膜的刻蚀选择比能够达到6∶1以上,同时能够获得光滑、陡直的侧壁形貌.最终在450 nm厚度的单晶铌酸锂薄膜上,采用RIE制备了宽度为4μm、高度为370 nm的脊型光波导,并以端面耦合的方法进行测试,得到该波导的传输损耗约为5.2 dB/cm.
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文献信息
篇名
单晶铌酸锂薄膜光波导的制备研究
来源期刊
真空科学与技术学报
学科
物理学
关键词
铌酸锂
氩离子刻蚀
反应离子刻蚀
光波导
年,卷(期)
2021,(1)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
44-49
页数
6页
分类号
O484
字数
语种
中文
DOI
10.13922/j.cnki.cjvst.202001015
五维指标
传播情况
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氩离子刻蚀
反应离子刻蚀
光波导
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空科学与技术学报
主办单位:
中国真空学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1672-7126
CN:
11-5177/TB
开本:
大16开
出版地:
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
邮发代号:
创刊时间:
1981
语种:
chi
出版文献量(篇)
4084
总下载数(次)
3
总被引数(次)
19905
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