单晶铌酸锂薄膜的转移制备技术研究

• 作者: 吴传贵 帅垚 张万里 李宏亮 王韬
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 铌酸锂薄膜 晶圆键合 离子注入剥离技术 BCB
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 7-12
• 页数: 6页
• 分类号: TB331
• 字数: 2098字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.07.002

摘要

以苯并环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)作为键合层,采用离子注入剥离技术制备了Y36切型的单晶铌酸锂薄膜材料.经过对BCB键合层的前烘时间和退火曲线进行系统的研究,克服了由于铌酸锂和BCB之间热膨胀系数不匹配所导致的铌酸锂薄膜开裂问题,获得了高质量的Y36切型单晶铌酸锂薄膜材料.此外,通过在晶圆键合之前预先制备图形化的金属层,获得了带有下电极功能层的单晶铌酸锂薄膜,可应用于薄膜体声波谐振器等具有金属-绝缘层-金属结构的器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
2	吴传贵	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	27	96	5.0	8.0
3	李宏亮	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	10	20	3.0	4.0
4	帅垚	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	1	1.0	1.0
5	王韬	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	2	1.0	1.0