光催化氧化对GaN材料腐蚀电化学及化学机械抛光的影响

• 作者: 韦伟 张保国 王万堂 李浩然 李烨
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 溴酸钾 腐蚀电化学 化学机械抛光 光催化氧化 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 41-47
• 页数: 7页
• 分类号: TQ133.51
• 语种: 中文
• DOI: 10.19289/j.1004-227x.2021.01.008

摘要

考察了氮化镓(GaN)晶片在不同质量分数和pH的溴酸钾(KBrO3)溶液中的腐蚀电化学行为.结果显示,GaN在溴酸钾质量分数为1％时腐蚀电位最低.在此基础上使用光催化氧化法能够显著降低腐蚀电位,使GaN材料的腐蚀速率进一步提高.CMP实验结果显示:紫外光(UV)的加入使GaN在1％KBrO3溶液(pH=4)中的抛光速率提高,而再加入光催化剂二氧化锡(SnO2)会使得GaN材料的抛光速率进一步提高.当KBrO3质量分数为1％,pH=4时加入紫外光和0.2％(质量分数)SnO2,GaN材料的抛光速率可达502.4 nm/h,抛光后晶片表面的均方根粗糙度为0.11 nm.