少层MoS2表面铟电极制备及光电性质研究

• 作者: 石保军 王申
• 来源期刊: 山西大学学报（自然科学版）
• 关键词: 二硫化钼 铟电极 载流子浓度 机械转移
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 物理|Physics
• 页码范围: 281-286
• 页数: 6页
• 分类号: O644.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13451/j.sxu.ns.2020045

摘要

少层过渡金属双硫化物(TMDs)由于独特的光电性质,受到了人们的广泛关注.许多工作都是通过在机械剥离的少层TMDs上电子束刻蚀后蒸镀金电极制备门电极来改变材料的载流子浓度,从而实现调控其光电性质.这种方法对制备工艺有极高的要求.文章通过机械转移的方法在少层二硫化钼(MoS2)表面制备了金属铟电极,通过电学表征证明锢电极与MoS2为欧姆接触.并且随着门电压的增加,少层MoS2样品的A1g拉曼峰发生红移,而E2g1的拉曼峰基本保持不变,这一结果与光门控少层MoS2的拉曼表征结果一致,证明了这种转移铟电极的方法可以有效实现对二维MoS2载流子浓度的调控.