MoS2/SnS2异质结催化性能增强的第一性原理研究

• 作者: 申猛 陈昌兆 张劲松
• 来源期刊: 河南科技学院学报（自然科学版）
• 关键词: 密度泛函理论 异质结 功函数 差分电荷密度
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 页码范围: 10-16
• 页数: 7页
• 分类号: O643.36|O644.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2096-9473.2021.02.003

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究了单层MoS2、单层SnS2和MoS2/SnS2异质结体系的几何结构、电子结构和功函数等性能.结果表明,MoS2/SnS2异质结的带隙明显小于单层MoS2 (001)和单层SnS2(001),这有利于降低光子激发能,提高光吸收能力.通过计算MoS2/SnS2异质结的差分电荷密度,发现电荷的重新分布主要发生在MoS2的界面附近,SnS2内部的电荷密度变化很小,这表明构建的异质结可以有效改善复合体系的电荷转移能力,抑制光生电子和空穴的复合,从而提高材料的催化性能.