低导通压降和低反向漏电流碳化硅肖特基二极管的研究

• 作者: 季益静
• 来源期刊: 集成电路应用
• 关键词: 碳化硅肖特基二极管 Silvaco 势垒高度 双层外延 沟槽
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与设计|Research and Design
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TN402|TN311.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2021.02.001

摘要

提出了一种具有低导通压降同时具有低漏电流的碳化硅650V肖特基二极管结构,基于半导体仿真软件Silvaco,验证了其正反向的器件性能,并与目前国际最新的商业化产品进行对比.使用更低势垒高度的钼(Mo)金属作为肖特基势垒金属,显著降低器件的开启阈值电压,利用碳化硅等离子干法刻蚀技术形成深沟槽,在此基础上离子注入形成的深P+结,可以在反向阻断时较好的屏蔽肖特基金属表面的电场强度,从而降低器件的反向漏电流.双外延的引入则大大降低了P+结之间的沟道电阻,提升器件整体导通性能.