PECVD制程中磷烷轻掺杂N+A-SI成膜稳定性的研究

• 作者: 聂坤坤 段大伟 李明阳 赵晓翔 王玉亮 李道杰 李从江
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 关键词: 磷烷轻掺杂N+A-SI 反射功率 射频系统匹配 RFoffset
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 201-207
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjvst.202003015

摘要

为解决G8.5世代线PECVD制程中磷烷轻掺杂N+A-SI成膜中频繁出现反射功率超过3000 W导致的沉积中断,研究了磷烷流量、RF Generator的匹配特性及RFoffset的电极间距对磷烷轻掺杂N+A-SI成膜中最大反射功率的影响,实验结果表明,在电极间距为20.875 ～ 21.875 mm之间进行RFoffset可显著降低磷烷轻掺杂N+A-SI成膜中的最大反射功率至3000W以内,保证磷烷轻掺杂N+ A-SI成膜过程的稳定,且该方法可有效地解决此问题,而提高磷烷流量及使用匹配特性较好的RF Generator解决该问题均存在一定的局限性.