MgZnO:N薄膜中Mg对N掺杂热稳定性的影响

• 作者: 丁凯 王玉柱 胡启昌 阮凯斌
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 MOCVD 拉曼光谱 掺杂 退火 热稳定性
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 61-65
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2851字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.09.009

摘要

N作为ZnO常见的受主杂质,其热稳定性是影响ZnO p型掺杂的关键因素.通过MOCVD法在石英衬底上生长MgZnO:N薄膜,利用X射线衍射仪、 原子力显微镜、 扫描电子显微镜、 紫外-可见分光光度计、 拉曼光谱仪等手段表征薄膜的基本性质和N相对含量,并设计热力学实验分析N的热稳定性机理.结果表明,生长获得了高晶格质量、 高透射率、 低Mg组分的MgZnO:N薄膜;相比于ZnO:N薄膜,MgZnO:N薄膜具有更高的N含量和热稳定性;热力学实验结果进一步证实Mg3 N2具有比Zn3 N2更高的热稳定性,这是Mg提高ZnO掺杂N的效率和热稳定性的原因.该工作对ZnO薄膜的p型掺杂研究具有重要指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阮凯斌	福建农林大学机电工程学院	17	32	3.0	4.0
2	丁凯	中国科学院福建物质结构研究所	11	53	3.0	7.0
3	王玉柱	福建农林大学机电工程学院	4	0	0.0	0.0
4	胡启昌	福建农林大学机电工程学院	2	0	0.0	0.0