Mg含量对N掺杂MgZnO薄膜的光电性能和N掺杂行为的影响

• 作者: 姚斌 张淼 徐莹 高丽丽
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 物理学
• 关键词: MgZnO薄膜 N掺杂 掺杂浓度 光电性能
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 1198-1203
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 字数: 3314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20142205.1198

摘要

利用射频磁控溅射技术,在相同流量的氮气、氩气混合气体条件下,在石英基片上溅射获得了不同Mg含量的N掺杂MgxZn1-xO薄膜,并研究了Mg含量对N的掺杂行为和薄膜光电性能的影响.结果显示,在N掺杂MgxZn1-xO薄膜中,随着Mg含量的增加,薄膜的电阻率增加,载流子浓度下降;X射线电子能谱中位于395 eV左右的N1s峰强逐渐减弱、甚至消失;Raman光谱中与受主NO相关的位于272 cm-1、642 cm-1左右的振动峰也随之减弱、消失.得到的结果表明:在N和O的化学势相同的条件下,薄膜中Mg含量对N的掺杂行为有一定的影响,随着Mg含量的增加,受主NO的掺杂浓度降低,N的掺杂状态发生变化;N掺杂Mgr Zn1-xO薄膜中Mg含量低时,存在NO与(N2)O两种状态;Mg含量高时,薄膜中只存在(N2)O一种形式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚斌	吉林大学物理学院	23	68	4.0	7.0
2	高丽丽	北华大学物理学院	17	27	4.0	4.0
6	徐莹	吉林大学物理学院	7	7	2.0	2.0
7	张淼	北华大学物理学院	16	14	2.0	2.0