退火温度对N掺杂MgZnO薄膜光电性能的影响

• 作者: 刘力 张淼 徐莹 高丽丽
• 来源期刊: 吉林大学学报（理学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 MgZnO 薄膜 N掺杂 快速热退火
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 578-582
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 字数: 1893字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13413/j.cnki.jdxblxb.2014.03.33

摘要

采用射频磁控溅射技术,用氮气作为掺杂源,在石英基片上生长 N 掺杂 Mgx Zn1-x O薄膜,并将薄膜分别在550,600,650,700℃真空中进行热退火处理。结果表明：晶体质量随退火温度的升高而提高；薄膜中 Mg 和 Zn 的原子比发生了变化；Raman 光谱中位于272,642 cm-1处的振动峰逐渐消失；室温光致发光光谱中薄膜的紫外激子发射峰变强,且发生峰移；随着退火温度的升高,薄膜的导电类型发生转变,当退火温度为600℃时,薄膜呈最佳的p 型导电性质。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高丽丽	北华大学物理学院	17	27	4.0	4.0
2	刘力	北华大学物理学院	17	19	2.0	4.0
3	徐莹	吉林大学物理学院	7	7	2.0	2.0
4	张淼	北华大学物理学院	16	14	2.0	2.0