N 掺杂 MgZnO 薄膜的 p 型导电稳定性研究

• 作者: 张雪 曹天福 李淞菲 高丽丽
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 MgZnO 薄膜 p 型 稳定性
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 材料物理和化学
• 页码范围: 925-929
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 字数: 2306字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20153006.0925

摘要

利用磁控溅射技术,以 Mg0.06 Zn0.94 O 为陶瓷靶材,制备了 N 掺杂 p 型 Mg0.13 Zn0.87 O 薄膜,薄膜的电阻率为42.45Ω·cm,载流子浓度为3.70×1017/cm3,迁移率为0.40 cm2·V-1·s-1。研究了该薄膜 p 型导电性质在室温空气下随时间的变化情况。实验结果表明,薄膜的电阻率逐渐升高,载流子浓度降低,五个月以后,薄膜转变为 n 型导电,电阻率为85.58Ω·cm,载流子浓度为4.53×1016/cm3,迁移率为1.61 cm2·V-1·s-1。真空热退火后重新转变为 p 型。结果显示,其 p 型导电类型的转变与在空气中吸附 H 2 O 或 H 2等形成浅施主有关。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高丽丽	北华大学物理学院	17	27	4.0	4.0
2	张雪	北华大学物理学院	5	5	1.0	2.0
3	李淞菲	北华大学物理学院	2	1	1.0	1.0
4	曹天福	北华大学物理学院	2	1	1.0	1.0