N掺杂p型MgZnO薄膜的制备与性能研究

• 作者: 刘军胜 张淼 张跃林 高丽丽
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 MgZnO薄膜 N掺杂 p型
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 材料物理和化学
• 页码范围: 499-503
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 字数: 2377字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20142904.0499

摘要

利用磁控溅射设备,Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,以高纯的氮气与氩气混合气体作为溅射气体,在石英衬底上沉积获得了N掺杂p型Mg0.07Zn0.93O薄膜,薄膜的电阻率为21.47 Ω·cm,载流子浓度为8.38×1016 cm 3,迁移率为3.45 cm2/(V·s).研究了该薄膜的结构与光学性能.实验结果显示,其拉曼光谱中出现了位于272和642 cm 1左右与No相关的振动模.低温光致发光光谱中,可以观察到位于3.201,3.384和3.469 eV的3个发光峰,其中位于3.384 eV的发光峰归因为导带电子到缺陷能级的复合发光,而位于3.469 eV的发光峰归因为受主束缚激子(A0X)的辐射复合,这说明该N掺杂MgZnO薄膜的空穴载流子主要来自No受主的贡献.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘军胜	北华大学物理学院	7	12	2.0	3.0
2	高丽丽	北华大学物理学院	17	27	4.0	4.0
6	张淼	北华大学物理学院	16	14	2.0	2.0
7	张跃林	北华大学物理学院	7	11	2.0	3.0