基于异构忆阻器的1T2M多值存储交叉阵列设计

• 作者: 孙晶茹 李梦圆 康可欣 邾少鹏 Sun Yichuang
• 来源期刊: 电子与信息学报
• 关键词: 忆阻器 存储器 交叉阵列 漏电流
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 先进芯片与系统前沿技术专题|Special Issue on Advanced Chip and System Frontier Technology
• 页码范围: 1533-1540
• 页数: 8页
• 分类号: TN601|TN710
• 语种: 中文
• DOI: 10.11999/JEIT201108

摘要

忆阻器作为一种新型电子元件,具有尺寸小、读写速度快、非易失性和易于与CMOS电路兼容等特性,是实现非易失性存储器最具发展前景的技术之一.但是已有的多值存储交叉阵列存在电路结构复杂、漏电流和存储密度低等问题,影响了多值存储交叉阵列的实用性.该文提出一种基于异构忆阻器的多值存储交叉阵列,其中存储单元由1个MOS管和两个具有不同阈值电压和Ron阻值的异构忆阻器构成(1T2M),可实现单个电压信号完成4值读写的操作,减少电流通路的同时简化了电路结构.通过PSpice进行仿真验证,表明所提出的1T2M多值存储器交叉阵列与已有工作相比,电路结构更简单,读写速度更快,并较好地克服了漏电流问题.