有机场效应管(OFET)的SPICE建模与仿真

• 作者: 高鹏程
• 来源期刊: 电子元器件与信息技术
• 关键词: 有机半导体 有机场效应晶体管(OFET) 输出特性曲线 SPICE建模
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 电子元器件与材料
• 页码范围: 7-8
• 页数: 2页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.19772/j.cnki.2096-4455.2021.2.003

摘要

本文介绍了一种现有的有机场效应晶体管(O F E T)及其制备方法.采用参数分析仪对该方法制备的OFET进行了特性分析,得到其输出特性曲线.根据测量得到的输出特性曲线,验证了OFET的输出特性曲线满足P型金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)输出特性曲线特点.进而利用已知的MOSFET的数学模型对OFET进行近似数学建模.通过对该电路的仿真并将得到的输出特性曲线与实测曲线进行对比,对仿真电路进行一定的修改.最终证明仿真电路基本满足实际OFET的性能指标,实现对OFET的SPICE建模.