针对COC老化测试的优化改进

• 作者: 杨迎 孙莉萍
• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 老化测试 温度控制 光功率
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 测量与控制
• 页码范围: 112-117
• 页数: 6页
• 分类号: TN407
• 语种: 中文
• DOI: 10.14022/j.issn1674-6236.2021.02.025

摘要

随着半导体行业的飞速发展,芯片设计与制造、芯片封装的国产化趋势在加速,芯片公司越来越多,对芯片的可靠性要求越来越高.芯片的性能是否稳定可靠,是决定产品可靠性与性能优劣的关键因素.目前国产芯片与某些进口芯片相比,质量与可靠性水平还相差较大.要使芯片组装出可靠性水平较高的产品,除在设计及制造时采取一系列保证措施外,还须充分重视芯片的老化失效筛选这一关键环节.该文针对影响老化测试可靠性的因素进行深入研究,通过分析实验数据不难发现光功率测量的准确性和芯片温度的稳定性对老化测试可靠性影响极大.该文以这两个方向为突破口实施优化,优化后光功率测量的准确性可以达到98％,芯片温度的稳定性保证在±0.5℃以内.与此同时将更换老化夹具和优化工艺流程,将四通道老化转型为单通道老化,使其老化测试工序的合格率提升20％,大大降低生产成本.