高浓度硅外延纵向电阻率分布研究

• 作者: 尤晓杰 王银海 葛华 韩旭
• 来源期刊: 电子与封装
• 关键词: 桶式外延炉 基座 波浪形貌 纵向电阻率分布 掺杂浓度
• 年，卷（期）: 2021,（9）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性|Microelectronics Fabrication & Reliability
• 页码范围: 73-76
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3|O782+.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0914

摘要

研究了桶式N型外延中发现的波浪形貌纵向电阻率分布现象,分析和验证了可能的影响因素(温度、生长速率、转速、挂件、掺杂浓度),得到如下结论,波浪形貌的纵向电阻率分布是在高掺杂浓度时因桶式基座面气流干扰产生的现象,且该现象通过基座面尺寸的调整可以消除.