压接型IGBT器件封装退化监测方法综述

• 作者: 李辉 刘人宽 王晓 姚然 赖伟
• 来源期刊: 电工技术学报
• 关键词: 压接型IGBT 封装退化监测 失效模式 可靠性
• 年，卷（期）: 2021,（12）
• 所属期刊栏目: 先进功率半导体器件及其封装、集成与应用专题
• 页码范围: 2505-2521
• 页数: 17页
• 分类号: TM23|TM930
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.201437

摘要

压接型IGBT器件是智能电网中大容量电力电子装备的基础核心器件,其可靠性直接关系到装备及电网的运行安全,而封装失效是其主要失效模式,封装退化监测是实现其故障诊断、状态预测及智能运维的关键.针对现有研究大多侧重于传统焊接型IGBT器件封装退化监测的问题,该文以压接型IGBT器件为研究对象,首先,介绍压接型IGBT器件封装结构;然后,系统分析微动磨损失效、栅氧化层失效、接触面微烧蚀失效、边界翘曲失效、弹簧失效、短路失效、开路失效共七种封装失效模式及对应的封装退化监测方法,并提出现有监测方法存在的问题;最后,从封装退化表征及评估、非接触式监测、高灵敏度监测三个方面,展望压接型IGBT器件封装退化监测新思路.