一种Flash位翻转故障的分析与改进

• 作者: 王志强 左清清 刘陶
• 来源期刊: 计算机与网络
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 硬件世界
• 页码范围: 27
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-1739.2021.06.024

摘要

由于NAND Flash存储器因本身工艺特性,有时会发生位翻转现象,即一个比特位的值由0翻转为1,或由1翻转为0.NandFlash芯片位翻转为芯片固有特性,发生概率极低.机载计算机电子盘在用户使用过程中若发生文件系统关键数据错误,则会导致文件系统挂载不成功.本文通过分析一例Flash位翻转故障,对电子盘进行了设计改进,避免了Flash位翻转时导致文件系统故障.