宽带单刀双掷氮化镓功率开关芯片

• 作者: 戴剑 马伟宾
• 来源期刊: 现代信息科技
• 关键词: 超宽带 射频开关 单刀双掷 插损 耐功率能力
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 电子工程|Electronic Engineering
• 页码范围: 41-43
• 页数: 3页
• 分类号: TN61|TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.19850/j.cnki.2096-4706.2021.07.011

摘要

文章设计了一款基于氮化镓HEMT工艺的单片射频单刀双掷开关芯片(SPDT switch).采用宽带匹配结构,实现了超宽带开关特性,覆盖频率DC-18 GHz,并且在工作带宽内优化了开关耐功率能力.装配后的S参数测试结果显示,在DC-18 GHz内插入损耗最大值在18 GHz频点处,为1.5 dB.连续波耐功率测试表明芯片的输入P0.1dB为40 dBm,具有较高的耐功率能力.芯片尺寸仅为1.6×1.2 mm2.