焦磷酸钾和双氧水对化学机械抛光中铜/钴电偶腐蚀及去除速率的影响

• 作者: 李浩然 张保国 李烨 阳小帆 杨朝霞
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 学科: 工学
• 关键词: 铜 钴 电偶腐蚀 化学机械抛光 焦磷酸钾 双氧水 去除速率
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 电子技术|Electronic Technology
• 页码范围: 67-71
• 页数: 5页
• 分类号: TG175|TG356.28
• 语种: 中文
• DOI: 10.19289/j.1004-227x.2022.01.015

摘要

通过电化学测试和化学机械抛光(CMP)试验研究了pH=10的抛光液中焦磷酸钾和双氧水的质量分数对Cu/Co电偶腐蚀的影响.结果表明,适量K4P2O7和H2O2的存在能够有效减小Cu与Co之间的腐蚀电位差,最小可降至11 mV.采用由0.3％H2O2、0.1％K4P2O7和2％硅溶胶组成的抛光液进行化学机械抛光时,Cu、Co的去除速率分别为312.0?/min和475.6?/min.