基于数据处理及遗传算法建立HEMT I-V模型

• 作者: 毕磊
• 来源期刊: 计算机仿真
• 学科: 地球科学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 数据处理 粗模型 遗传算法
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 仿真应用研究
• 页码范围: 225-228,297
• 页数: 5页
• 分类号: N945.12
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-9348.2022.01.048

摘要

针对传统高电子迁移率晶体管(High electron mobility transistor,HEMT)非线性I-V模型需要根据脉冲I-V数据、直流I-V数据建立的现状,提出一种新的基于数据处理的方法,通过对直流I-V数据进行数据处理建立粗模型,利用遗传算法进行优化,建立完整的HEMT器件非线性I-V模型.上述方法基于Angelov模型,操作简单,节省了大量脉冲I-V测试的时间,所建立的模型精度高,适合HEMT器件建模,具有很好的实践意义.利用栅长为0.3 mm的pHEMT 25℃、85℃、125℃三个温度下直流I-V数据进行验证,所建立的模型与测试数据有较高的吻合性.