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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】据市调公司Gartner在日前公布数据显示,2012年全球半导体资本支出将会比2011年下降19.5%,主要是受到全球经济环境趋缓的影响。Gartner表示,2012年全球半导体资本支...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】经过2010年60%的高速增长,IMS Research认为2011年的GaN LED市场趋于平缓,仅增长1%至87亿美金。主要原因有:·占据60%GaN LED营收的背光市场增长比预...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】SEMI与TechSearch International共同出版的全球半导体封装材料展望中显示,2011年包括热接口材料在内的全球半导体封装材料市场总值将达228亿美元,2015年将...
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34. 半导体产业必将重新再起刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】有人问我,半导体产业是否哪里出了问题,不然像是SiliconBlue、PicoChip等看来不错、又拥有优秀技术的公司,为何会以低于数年来所获得的风险投资还低的金额贱价出售?我并不认为...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】2012年对于半导体产业无疑将是具有挑战性的一年。若干全球宏观经济问题不仅影响半导体产业,还会对全球经济产生负面影响。失业率居高不下,对经济衰退的担忧,目前的欧洲债务危机,中国、印度和...
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36. 半导体巨头看好新兴产业刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】2011年全球半导体业保持平稳发展的势头。展望2012年,智能手机、平板电脑、新能源汽车、LED、数字电视和便携式医疗电子等应用依然持续走热,平台化设计、软硬件协同设计成为制胜关键。2...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】Crossing Automation,Inc.是顶尖的半导体工厂和工具自动化产品设计厂商和制造商,当今最主要的半导体装置和设备公司均使用其产品。公司日前推出450 mm分类机,即Sp...
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38. 2012年八大无线领域发展趋势刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】无线联网对于我们今天的生活和商业必不可少。现在全球70亿人口中有60亿手机帐号。ABI Research预计全球手机用户将在2011年达到60亿。仅美国地区,手机账号就超过当地的人口数...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】国际研究暨顾问机构Gartne日前发布一份初步统计结果,显示电子设备品牌大厂仍然是半导体市场的重要客户,在2011年半导体设计总体有效市场(to-
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40. 台湾地区晶圆制造产能世界领先刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】根据市调机构ICInsights最新调查研究之初,受到台湾主要晶圆代工厂积极扩产的推动下,去年台湾半导体晶圆制造月产能达285.83万片(约当8英寸晶圆)规模,占全球晶圆制造总产能21...
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41. 日本要重塑半导体辉煌刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】最近有消息传出,日本三大电子厂瑞萨(Renesas)、富士通(Fujitsu)与松下(Panasoinic)有意合并彼此的系统晶片(SoC)设计/研发业务,成立一家新公司,正符合了日本...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】在日前举行的第六届中国无线射频识别(RFID)技术发展国际研讨会上,业内人士称上海RFID产业规模已位居国内第一,今年RFID业务销售规模达到52.4亿元,占全国总体规模的1/3,预计...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】"超材料产业联盟"日前在深圳揭牌,标志着以光启为技术核心、集聚大规模科技创新群体的超材料产业集群正式落户深圳。该联盟的目标是在深圳建立超材料研发基地,带动千亿产值规模的超材料产业集群。...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】根据工信电子函[2012]12号文件,工信部已发布《2012年度电子信息产业发展基金项目指南》,确定以下18个项目为本年度电子信息产业发展基金招标项目(见附件)进行招标。要求各地工业和...
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45. 邱慈云:中国半导体的发展与机遇刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】中芯国际集成电路制造有限公司首席执行官兼执行董事邱慈云,在SEMICONChina,SOLARCON China and FPD China 2012的开幕主题演讲中发表了题为"中国半...
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46. 欧洲EEMI450计划发布白皮书刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】EEMI450计划白皮书近日推出,该白皮书定义了EEMI450计划要达到的目的。其中,解释了EEMI450计划相关经济动机和半导体产业的450mm晶圆尺寸过渡安排。白皮书强调了早期参与...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】美国半导体产业协会(SIA)日前发表2011国际半导体科技蓝图,其中详细提出各种短期及长期发展趋势,一路规划出半导体产业至2026年的发展。美国半导体产业协会此次公布的蓝图,首先在20...
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48. 半导体产业发展与摩尔定律的突破刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】半导体产业正在面临一项挑战,即每两年微缩芯片特征尺寸的周期已然结束,我们正在跨入一个情势高度不明的阶段。业界目前面临的几项关键挑战都显示,芯片微缩的路程愈来愈艰困了。1.晶圆代工厂量产...
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49. 14nm会是硅芯片的尽头刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】尽管英特尔依然乐观地预测将于2015年之前推出8 nm制程工艺的芯片,但人们还是怀疑14 nm可能将成为硅芯片尺寸的最终尽头。近年来,芯片的发展进程始终严格遵守着"摩尔定律",并有条不...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】摩尔定律(Moore"sLaw)极限浮现与18英寸晶圆世代来临,将是半导体产业两项大革命,全球半导体厂都在思索未来趋势,台积电技术长孙元成指出,摩尔定律未必走不下去,只要与3DIC技术...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】中芯国际集成电路制造有限公司于3月9日宣布,其0.11微米后段铜制程(Cu-BEoL)超高密度IP库解决方案可为客户平均节省31%芯片面积。中芯国际此次发布的超高密度IP库解决方案,与...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】目前功率半导体厂商开始由硅转向替代材料,更具体地说是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。业界采用在硅衬底和氮化铝缓冲层之上生长GaN的技术来降低成本。这使得设备厂商可以利用现有硅制程技...
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53. eGaN FET步入商用阶段刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】eGaN FET两个最大的性能优势是可提供比MOSFET更高的效率和小得多的外形尺寸(通常D-PAK封装的MOSFET尺寸为65平方毫米,而采用超小型LGA封装的eGaN FET面积只...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】日本碍子公司公布了将于2012年内向市场投放口径为4英寸的GaN基板的业务目标。该公司目前正在样品供货2英寸产品。在201 2年3月上旬举行的"第四届日本东京国际照明展(LED Nex...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】道·康宁复合半导体方案公司于近日称己与美海军研究局签订了一份价值360万美元的合同,开发碳化硅半导体材料技术。据悉,作为第三代半导体材料的碳化硅对于宽能带隙设备的开发具有十分重要的意义...
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56. 瑞萨电子推出碳化硅复合功率器件刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件,它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】罗姆从2012年3月开始量产在晶体管和二极管中都采用SiC的"全SiC"功率模块。据该公司介绍,全SiC功率模块的量产尚属"全球首次"。此次量产的全SiC功率模块的额定电压为1200 ...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】RF方面,SiGe BiCMOS工艺有何进展,能否真正取代GaAs工艺。目前,SiGe BiCMOS的工艺技术己经开发完成,正在客户试用阶段,2012年进入量产。从应用状况来看,SiG...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的P沟道30 V器件——Si8497DB和Si8487DB,扩充其MI-C...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 【正】澳大利亚科学家表示,他们研制出一种单原子晶体管,其由蚀刻在硅晶体内的单个磷原子组成,拥有控制电流的门电路和原子层级的金属接触,有望成为下一代量子计算机的基础元件。研究发表在2月19日出...
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