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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】国家发改委近日发文力推高新产业发展,明确透露将抓紧在云计算、物联网、生物、电子商务等关键领域研究出台一批重大产业政策,进一步加快创新药物、低空空域开放、通用航空、电力体制改革等重点领域...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】美国阿尔法和欧米伽半导体技术公司是功率半导体器件和功率集成电路的设计商、开发商及全球供应商。日前,该公司宣布推出6种新型25伏特和30伏特的功率场效应管(AON7760、AON7510...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】氮化镓(eGaN)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能,因此使得功率转换器可实现超过98%的效率...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】日本DIN-TEK半导体是日本著名的功率半导体器件供应商,主要供应工业领域、3C消费类领域中AC-DC电源、DC-DC电源、及工控主板等系统中所必需的MOSFET、二极管、肖特基等产品...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】2014年7月8日,意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,In-sulated-GateBipolarTransistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】罗姆在"TECHNO-FRONTIER2014"(7月23~25日,东京有明国际会展中心)上展出了两种Si制功率半导体新产品。分别为第二代超结MOSFET(SJ-MOSFET)产品以及...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】安捷伦科技公司日前宣布,安捷伦模块化矢量信号测试解决方案帮助SmarterMicro显著加快其最新可重构多模多频功率放大器的开发过程。SmarterMicro是一家无产线(fables...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】笙科电子(AMICCOM)发表新一代高整合Zigbee/RF4CE无线射频收发SoC晶片A8153,该晶片RF部份是依ZigbeePHY层与MAC层的2.4GHz射频设计,并整合高效能...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】日前,德州仪器(TI)宣布推出RF430F5978微控制器(MCU)和配套的评估模块(EVM),进一步壮大其丰富多样的低功耗射频(RF)解决方案组合阵营。RF430F5978MCU基于...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】意法半导体的新系列场效应整流二极管(FERD)完美解决了低正向压降(VF)与低漏电流(IR)之间不可兼得的矛盾关系,让充电器和笔记本适配器等设备的设计人员在无需使用成本更高的同步整流管...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】东芝公司已经开发出符合近距离无线传输技术TransferJet标准的世界最小的无线通信模块和最薄的柔性印刷电路(FPC)耦合器。将这两款产品组合在一起应用于智能手机等移动设备,可实现3...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】AVX发布其高方向性0302尺寸的薄膜耦合器为无线频带应用,包括全新紧密度容差0302尺寸的零件,现在可通过经销商购买。该无线频带耦合器采用多层集成薄膜(ITF)技术,在无线电频谱(2...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】Vishay发布两款专门针对低速数据传输设计的微型红外接收器TS-DP34138/56和TSDP34338/56,扩大其光电子产品组合。它们适用于计量、传感器、自动化和游戏机里的低复杂...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】Littelfuse公司日前宣布推出SPHV(单向)和SPHV-C(双向)系列200W分立瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管);相比早期技术,这两个产品系列能够更好地保护敏感设备免遭静...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新系列高功率表面贴装的精密薄膜片式电阻-PCAN系列器件。该系列器件采用氮化铝基板,功率等级为2W~6W,分别采用1...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出通过AEC-Q200认证的,用于电动和插电式混合动力汽车的交流线路的新系列圆片陶瓷安规电容器——AY2系列。电容器符...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】过去二十几年来,IBM已经为制作1.4nm的微型碳纳米管尝试过几乎每一种可能性了,期望能找到延续硅晶体管通道的方法。时至今日,最小的硅晶体管已经达到原子极限了——例如,4nm硅晶体管通...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】美国宾夕法尼亚州立大学的研究人员开发出一种新型晶体管,可能会使快速、低功耗计算器件成为可能,这些器件主要针对能源受限的应用,包括智能传感网络、植入人体的医疗电子、超级移动计算等。这种新...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】随着"物联网"、"智慧城市"、"智能交通"等概念的兴起,及全球信息数据采集需求的旺盛,MEMS传感器的应用变得无所不在。村田并不是一家做MEMS的公司,成立六十多年以来,一直以陶瓷为材...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关,在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术,如SiC单晶底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展,研制出了多种结构的SiC...
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21. 高质量薄层石墨烯粉体量产刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】以中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所高质量薄层石墨烯制备技术成果为基础,苏州格瑞丰纳米科技有限公司日前正式推出典型厚度分别为1nm和2~3nm的高质量薄层石墨烯粉体产品。目前,格瑞丰薄...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】中微半导体设备有限公司(简称"中微")近日发布PrimoiDEA(TM)("双反应台介质刻蚀除胶一体机")——这是业界首次将双反应台介质等离子体刻蚀和光刻胶除胶反应腔整合在同一个平台上...
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23. 全球半导体厂资本支出大幅增加刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】2014年半导体产业看好,各厂纷纷调升资本支出,半导体三巨头台积电、三星电子(SamsungElectronics)、英特尔(Intel)资本支出维持高位,GlobalFoundr-i...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】日经新闻报导指出,鉴于全球半导体产业掀起碳化硅晶片潮流,日本电子业亦积极发展碳化硅晶片科技,并已运用于多项领域。预估日本国内电力半导体市场年产值可达约3000亿日圆(28.8亿美元)至...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】据最新全球功率半导体市场的调查结果显示,2013年全球功率半导体市场规模(按供货金额计算)比上年增长5.9%,为143.13亿美元。虽然2012年为负增长,但2013年中国市场的需求恢...
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26. 2014全球知名IGBT生产商刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】IGBT是业界公认的,发展最迅速的新型功率器件,被广泛应用于消费电子、汽车电子、新能源、电力电子等传统和新兴领域,是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品,是未来应用发展的必然方向,市...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】根据市调公司YoleDeveloppement指出,MEMS产业正持续发生变化。随着客户变得越来越重视装置的功能性(软、硬体组合)而非所使用的元件,一向着重于供应元件的主导制造商开始感...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】汽车电子产业被认为是MEMS传感器的第一波应用高潮,但随着消费电子领域大发展及创新不断涌现,消费电子已经成为MEMS最大的应用市场。尽管全球经济疲软趋势不减,在中国这个庞大的市场上,平...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】7月5日,市场研究机构ON World在最新的报告中预测,称在今后的5年内,全球可穿戴设备行业的市场经济规模将达到500亿美元。ON World所指的可穿戴设备包括智能手表、智能眼镜以...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 【正】6月19日,国家发改委文件批复,同意中国科学院半导体技术工程化研究平台建设项目的可行性研究报告,批准项目建设地点为廊坊市经济技术开发区科技谷园区,可进入项目设计和实施阶段,三年内完成建...
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