半导体信息期刊
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半导体信息

Semiconductor Information

《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向,坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导,贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针,坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风,传播先进的科学文化知识,弘扬民族优秀科学文化,促进国际科学文化交流,探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律,活跃教学与科研的学术风气,为教学与科研服务。
主办单位:
中国半导体行业协会分立器件分会 中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN:
CN:
出版周期:
双月刊
邮编:
210016
地址:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
出版文献量(篇)
5953
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  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  1-3
    摘要: 国家发改委将组织实施新兴产业重大工程包,2015至2017年,重点开展信息消费、新型健康技术惠民、海洋工程装备、高技术服务业培育发展、高性能集成电路及产业创新能力等六大工程建设。
  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  5-5
    摘要: QorVo公司一直是射频产业的领军供应商,为移动、基础设施、航空和国防应用领域提供产品,近日发布了一款新型输入匹配的氮化镓晶体管,新产品采用低成本的塑料封装,以更高的性价比进军商用及军用的雷...
  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  6-7
    摘要: 全球知名半导体制造商ROHM近日世界首家开发出采用沟槽结构的SiC—MOSFET,并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC—MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50...
  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  8-9
    摘要: 日前,碳化硅(SIC)技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用SiC材料可使感应加热效率达到999/6的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2...
  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  9-10
    摘要: Princeton Power Systems是一家致力于为能源管理,微网格运行和电动汽车充电等领域提供科技产品的设计和生产商,近日针对基于碳化硅开关技术平台的商业化应用,最新发布了首款并网...
  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  10-10
    摘要: 三菱电机近期宣布,日本Odakyu Electric Railway公司的1000辆城市轨道列车安装了一款全碳化硅牵引逆变器,相较采用传统电路的列车,可以减少约40%的能源消耗。
  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  12-12
    摘要: Analog Devices,Inc.,全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,近日推出HMC1127和HMC1126MMIC(单芯片微波集成电路)分布式功率放大器。这些新型功率放大器裸片涵...
  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  14-15
    摘要: Skyworks Solutions公司通过其在加利福利亚州的子公司发布了一款低损耗、高性能宽带DC-6GHz气密性砷化镓ICSPST无反射开关。
  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  14-14
    摘要: 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用RF解决方案的领先供应商Qorvo,Inc.日前宣布推出具有业界领先效率、适合小型蜂窝基站应用的全新系列功率放大器(PA)。小型蜂窝解决方案可增加移动网...
  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  23-24
    摘要: 整体半导体产业正在尝试找到一种方法,不需要从硅基板转换而利用砷化铟镓(InGaAs)的更高电子迁移率,包括英特尔(Intel)与三星(Samsung);而IBM已经展示了如何利用标准CMOS...
  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  24-25
    摘要: 美国圣地亚哥Peregrine半导体公司,是一家基于绝缘体上硅材料的射频集成电路的无生产线设计公司,近期基于发布了基于Global Foundries公司(位于美国圣塔克拉拉市,是世界最大的...
  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  30-30
    摘要: Northrop Grumman公司采用磷化铟高电子迁移率晶体管制成lO级放大器,在太赫兹频率下,可获得9dB增益。
  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  30-31
    摘要: KTH是位于瑞典的皇家科技研究院,近日采用波纹面横向外延过生长(CELOG)方式研制出了由n型InP和P型silicon材料构成的异质结。通常情况下,89/6的晶格失配会导致异质结具有较高的...
  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  32-32
    摘要: NotreDame大学的研究者们称,硅基侧向A1GaN/GaN肖特基势垒二极管可实现行业内最高1.9kV的击穿电压。
  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  36-36
    摘要: 功率半导体(Power Transistor)市场将在今年开出红盘。由于节能概念风行,并快速渗透至汽车、工业和无线通讯等领域,因而刺激大量功率半导体需求。
  • 作者:
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  39-41
    摘要: 近日,我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报道,该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业协会组织的专家认为,该成果国内领先,已达到国际先进水平。此前,北京天...

半导体信息基本信息

刊名 半导体信息 主编
曾用名
主办单位 中国半导体行业协会分立器件分会 中国电子科技集团公司第五十五研究所  主管单位
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN CN
邮编 210016 电子邮箱 bdxx@chinajournal.net.cn
电话 025-868581 网址
地址 南京市1601信箱43分箱(南京市中山东

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