IBM以标准CMOS工艺打造三五族FinFET

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS工艺 FINFET IBM 标准 高电子迁移率 半导体产业 砷化铟镓 硅基板
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（4）
• 页码范围: 23-24
• 页数: 2页
• 分类号: TN929.11

摘要

整体半导体产业正在尝试找到一种方法，不需要从硅基板转换而利用砷化铟镓（InGaAs）的更高电子迁移率，包括英特尔（Intel）与三星（Samsung）；而IBM已经展示了如何利用标准CMOS工艺技术来达成以上目标。