基于标准CMOS工艺的pH值传感器

• 作者: 施朝霞 朱大中
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: pH值传感器 MFGFET 灵敏度
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1272-1277
• 页数: 6页
• 分类号: TN43
• 字数: 3610字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.08.021

摘要

基于传统离子敏感器件的敏感模型,建立了与CMOS工艺兼容的以钝化层氮化硅作为敏感膜的MFGFET(multi-floating gate FET)多层浮栅晶体管结构阈值电压模型.采用上华0.6μm CMOS标准工艺,设计了一种与CMOS工艺兼容的pH值传感器.片上控制电路使MFGFET器件源漏电压和源漏电流恒定,器件工作在一个稳定的状态.采用离子敏MFGFET和参考MFGFET差分拓扑结构,减少了测量电路的固定模式噪声.器件溶液实测pH值在1～13范围内,器件的平均灵敏度为35.8mV/pH.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱大中	浙江大学微电子与光电子研究所	43	188	8.0	11.0
2	施朝霞	浙江大学微电子与光电子研究所	1	3	1.0	1.0