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摘要:
KTH是位于瑞典的皇家科技研究院,近日采用波纹面横向外延过生长(CELOG)方式研制出了由n型InP和P型silicon材料构成的异质结。通常情况下,89/6的晶格失配会导致异质结具有较高的位错密度,而KTH采用CELOG方式成功研制出异质结光电二极管。
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异质结电池
发射层
界面态
本征层
MOCVD法横向外延过生长GaN薄膜
无机非金属材料
MOCVD
综述
横向外延过生长
GaN
薄膜
硅衬底对纳米ZnO/p-Si异质结酒精敏感性能的影响
ZnO薄膜
p-Si衬底
电阻率
气体传感器
Ti/Fe(001)体系异质外延生长初期外延岛尺寸作用机制探究
嵌入原子方法
分子动力学
异质外延
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 采用横向外延过生长技术制备n—InP/p—Si异质结
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 异质结 INP 生长技术 SILICON 横向外延过生长 SI 制备 光电二极管
年,卷(期) bdtxx_2015,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 30-31
页数 2页 分类号 TN322.8
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研究主题发展历程
节点文献
异质结
INP
生长技术
SILICON
横向外延过生长
SI
制备
光电二极管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
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11
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