采用横向外延过生长技术制备n—InP／p—Si异质结

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结 INP 生长技术 SILICON 横向外延过生长 SI 制备 光电二极管
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（4）
• 页码范围: 30-31
• 页数: 2页
• 分类号: TN322.8

摘要

KTH是位于瑞典的皇家科技研究院，近日采用波纹面横向外延过生长（CELOG）方式研制出了由n型InP和P型silicon材料构成的异质结。通常情况下，89／6的晶格失配会导致异质结具有较高的位错密度，而KTH采用CELOG方式成功研制出异质结光电二极管。