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出版文献量（篇）
478
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1404
半导体杂志
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主办单位：
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
ISSN：
1005-3077
CN：
12-1134/TN
出版周期：
季刊
邮编：
300192
地址：
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 实验研究了ＳＩ－ＧａＡｓ材料中的ＥＬ２能级光淬灭对ＴＳＣ谱的影响。ＥＬ２能级显著光淬灭后，ＴＳＣ谱发生了明显的变化。一些ＴＳＣ峰的高度明显降低甚至消失，在低温端ＴＳＣ谱出现一些新的峰。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 利用私正变换和改进的线性组合算符法研究了ＣｄＦ２、ＺｎＳ和ＳｉＣ内任意耦合强度磁极化子的振动频率和有效质量的磁场特性。数值计算结果表明：不同耦合常数的材料，磁场所给的定解范围和耦合强度的取值...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 采用电化学方法在铜衬底上制备ＣｕｘＳ薄膜，在一定反应温度、电压、时间条件下，作为电极的铜片衬底可生成一层深蓝色的质量 地均匀的ＣｕｘＳ薄膜。实验发现，生成的ＣｕｘＳ薄膜主要居为Ｃｕ２Ｓ，具...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 采用Ｘ射线衍射、Ｘ射线双晶衍射和Ｘ射线荧光三种手段对经Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１６：１：１和３：１：１腐蚀液，在不腐蚀条件下得到的ＧａＡｓ片子进行近表层结晶完整性、片子表面的残留产物以...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 用浸泡震荡分散法制备了ＹＦｅＯ３掺ＳＯ４＾２－半导体气敏材料，并对其电志和气敏性能进行了研究。结果表明：ＳＯ４＾２－的掺入改变了ｐ型ＹＦｅＯ３，半遐体材料的导电性能；少量ＳＯ４＾２－（≈１％...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 提出了一种检测三维磁场的真空微电子磁敏传感器。该传感器采用Ｓｐｉｎｄｔ阴极阵列作为电子源，阳极分为五个区域，以便检测发射电子在磁场作用下的偏移。通过不同阴极电压下电子束流的偏移量的国赤出器件...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 微电子技术的发展，推动着微电子封装技术的不断发展、封装形式的不断出新。介绍了微电子封装的基本功能与层次，微电子坟技术发展的三个阶段，并综述了微电子封装技术的历史、现状、发展及展望。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 首先指出了电信产业的发展得益于电子元器件的发展，进而分析了元器件的发展历史，重点分析了在现今元器件中占主流的片式元器件的特点、及其发展方向，最后结合当今的信息与通信技术指出Ｌ：现代通信与信息...
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9. 半绝缘GaAs电传输特性刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 半绝缘ＧａＡｓ是弛豫半导体，其电传输特性和通常的寿命半导体有所不同。对弛豫半导体和寿命半导体电特性的差异进行了介绍，并介绍了不同金属／半绝缘ＧａＡｓ接触结构的电传输特性。
半导体杂志基本信息
| 刊名 | 半导体杂志 | 主编 | 孙膺九 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会 | 主管单位 | 天津市科委 |
| 出版周期 | 季刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1005-3077 | CN | 12-1134/TN |
| 邮编 | 300192 | 电子邮箱 | |
| 电话 | 022-236153 | 网址 | |
| 地址 | 天津市河西区陈塘庄岩峰路 |
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